重庆邮电大学2024年5月政府采购意向

发布时间: 2024年04月24日
摘要信息
招标单位
招标编号
招标估价
招标联系人
招标代理机构
代理联系人
报名截止时间
投标截止时间
关键信息
招标详情
相关单位:
***********公司企业信息
为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔2020〕10号)等有关规定,现将 重庆邮电大学 2024年5月 采购意向公开如下:
序号 采购项目名称 需求调查概况 预算金额(万元) 预计采购时间 备注
1 芯片晶圆代工 三安集成氮化镓工艺流片及测试,采用 GaN HEMT N25PA13 或更高的GaNHEMTN15PA11工艺流片,技术规格: 1) 适用于 28V 分立式 MCM 和 MMIC 器件应用 2) 16 个掩模层:14 个正面层和 2 个背面层 RCID 是可选层 3) 双场板:栅极和源极连接场板MIM电容、薄膜电阻器、外延层电阻器 4) 75 um 背面研磨厚度 5) 独立软件软件/操作系统结构 6) DC Performance a. Max trans-conductance @ VDS=10V Gmmax=350 mS/mm b. Drain current @VGS=2V, VDS=10V IDC_max=1220 mA/mm c. On-state contact resistance Ron=1.8 Ω*mm d. Pinch-off voltage @ VDS=10V,ID=1mA/mm Vp=-3.4 V e. Breakdown voltage @ VGS=-8V, ID=0.5mA/mm BVDS>85 V f. Breakdown voltage @ VGS=-8V, ID=1mA/mm BVDS>>120 VBVDS 7) S-Parameter a) 测试条件:Gate width: 6x100um device @ CW SP bench; Bias : Vd=28V, Idq=100mA/mm 65.00 2024年5月
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
重庆邮电大学
(略)
招标进度跟踪
2024-04-24
招标预告
重庆邮电大学2024年5月政府采购意向
当前信息